2N2219A

Symbol Micros: T2N2219a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 375; 800mW; 40V; 800mA; 300MHz; -65°C ~ 200°C; 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE
Parametry
Moc strat: 800mW
Producent: CDIL
Obudowa: TO 39
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N2219A RoHS Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 2,8100 1,7800 1,4000 1,2600 1,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Producent: CDIL Symbol producenta: 2N2219A-CDI RoHS Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 2,8100 1,7800 1,4000 1,2600 1,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 800mW
Producent: CDIL
Obudowa: TO 39
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta