2N3019
Symbol Micros:
T2N3019
Obudowa: TO 39
Tranzystor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI
Parametry
| Moc strat: | 800mW |
| Obudowa: | TO39 |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: CDIL
Symbol producenta: 2N3019 RoHS
Obudowa dokładna: TO 39
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1700 | 2,0000 | 1,5700 | 1,4300 | 1,3800 |
Producent: Microchip
Symbol producenta: 2N3019
Obudowa dokładna: TO 39
Magazyn zewnętrzny:
270 szt.
| ilość szt. | 7+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 64,9915 |
Producent: CDIL
Symbol producenta: 2N3019
Obudowa dokładna: TO 39
Magazyn zewnętrzny:
1800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5067 |
| Moc strat: | 800mW |
| Obudowa: | TO39 |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | NPN |