2N3906BU TO92(BULK) ONS(FAIRCHILD)
Symbol Micros:
T2N3906 FAI
Obudowa: TO92
Tranzystor PNP; 300; 625mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3906TA (350mW) (taśmowany); 2N3906TAR; BULK 2N3906BU;
Parametry
| Moc strat: | 625mW |
| Producent: | Fairchild |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: 2N3906TA RoHS
Obudowa dokładna: TO92amm
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9860 | 0,4980 | 0,3000 | 0,2370 | 0,2190 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: 2N3906BU RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9860 | 0,4980 | 0,3000 | 0,2370 | 0,2190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N3906TA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1790 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N3906TAR
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1790 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N3906TA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1790 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N3906TA
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1790 |
| Moc strat: | 625mW |
| Producent: | Fairchild |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Obudowa: | TO92 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |