2N4401TA TO92(tape) formed PIN

Symbol Micros: T2N4401TA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92ammoformed
Tranzystor NPN; 300; 625W; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; 2N4401TA; 2N4401TAR; 2N4401RLRAG (CUT T&R);
Parametry
Moc strat: 350mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N4401TA RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed karta katalogowa
Stan magazynowy:
510 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 510+ 2550+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6080 0,4730 0,4280 0,4130
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N4401TA Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4130
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 350mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN