2N5416

Symbol Micros: T2N5416
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
Tranzystor PNP; 120; 1W; 300V; 1A; 15MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N5416-CDI;
Parametry
Moc strat: 1W
Częstotliwość graniczna: 15MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Producent: CDIL
Obudowa: TO 39
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: Central Semiconductor Symbol producenta: 2N5416 PBFREE Obudowa dokładna: TO 39  
Magazyn zewnetrzny:
970 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,9098
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1W
Częstotliwość graniczna: 15MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Producent: CDIL
Obudowa: TO 39
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: PNP
Montaż: THT