2N5550
Symbol Micros:
T2N5550
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 250; 625mW; 140V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5550G; 2N5550RLRPG; 2N5550TA; 2N5550TAR; 2N5550TFR; 2N5550-LGE;
Parametry
Moc strat: | 625mW |
Producent: | LGE |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
Producent: LGE
Symbol producenta: 2N5550 RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4320 | 0,1720 | 0,1010 | 0,0743 | 0,0665 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N5550TFR
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1532 |
Moc strat: | 625mW |
Producent: | LGE |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Obudowa: | TO92 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |