2N5886
Symbol Micros:
T2N5886
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4V]
Parametry
| Moc strat: | 200W |
| Producent: | Inchange Semiconductors |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 25A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: CDIL
Symbol producenta: 2N5886 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
Stan magazynowy:
375 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,8700 | 10,6000 | 9,6500 | 9,2900 | 9,1900 |
Producent: Microchip
Symbol producenta: 2N5886
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
15 szt.
| ilość szt. | 2+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 250,3175 |
| Moc strat: | 200W |
| Producent: | Inchange Semiconductors |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 25A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Montaż: | THT |