2N6491G

Symbol Micros: T2N6491 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parametry
Moc strat: 75W
Producent: ONSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 130
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 5MHz
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N6491G RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7800 2,1400 2,0400 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3511
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 75W
Producent: ONSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 130
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 5MHz
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP
Układy tranzystorowe [T/N]: Nie dotyczy

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta