2N6491G
Symbol Micros:
T2N6491 ONS
Obudowa: TO220
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parametry
| Moc strat: | 75W |
| Producent: | ONSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 130 |
| Częstotliwość graniczna: | 5MHz |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2N6491G RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 | 2,7800 | 2,1400 | 2,0400 | 2,0000 |
| Moc strat: | 75W |
| Producent: | ONSEMI |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 130 |
| Częstotliwość graniczna: | 5MHz |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
| Układy tranzystorowe [T/N]: | Nie dotyczy |
Odpowiedniki
2N6491
Tranzystor PNP; 150; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: 2N6491G;
Producent:
CDIL
Symbol producenta:
2N6491 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
600 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3000 | 1,4600 | 1,1500 | 1,0500 | 1,0000 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
2N6491 JSMICRO
Tranzystor PNP; 150; 75W; 80V; 15A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N6491G;
Producent:
JSMSEMI
Symbol producenta:
2N6491 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5000 | 1,1500 | 1,0400 | 0,9900 |
Sposób pakowania: 50/200
Ilość (wielokrotność 1)