2N7000 ZEHUA

Symbol Micros: T2N7000 ZEH
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: TO92
Producent: ZEHUA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 5,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: TO92
Producent: ZEHUA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT