2N7002,215 NEXPERIA tranzystor polowy N-MOSFET
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5620 | 0,2580 | 0,1400 | 0,1050 | 0,0936 |
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1514 |
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1017 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Tranzystor N-Channel MOSFET 2N7002 SOT-23 NXP
Tranzystor 2N7002 to jeden z najbardziej rozpoznawalnych i powszechnie stosowanych tranzystorów polowych MOSFET z kanałem N w elektronice cyfrowej i analogowej małej mocy. Produkowany przez firmę NXP i dostarczany w miniaturowej obudowie SOT-23, jest kluczowym komponentem wszędzie tam, gdzie wymagana jest wysoka szybkość przełączania i efektywna obsługa niskoprądowych sygnałów. Jego architektura pozwala na łatwe sterowanie z poziomów logicznych mikrokontrolerów.
Kluczowe cechy i specyfikacja tranzystora 2N7002
Tranzystor 2N7002 jest ceniony za swoją prostotę obsługi i niezawodność, co czyni go podstawą w projektach, które muszą zachować miniaturyzację i wysoką wydajność. Obudowa SOT-23 zapewnia minimalny ślad na płytce PCB, będąc idealną dla montażu powierzchniowego.
Najważniejszymi parametrami technicznymi tranzystora 2N7002 są:
- Typ tranzystora: N-Channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- Napięcie dren-źródło maksymalne (VDS): 60 V
- Prąd drenu ciągły (ID): 115 mA
- Rezystancja włączenia (RDS(on)): niska (typ. 7.5 Ω przy VGS = 5 V)
- Napięcie progowe bramki (VGS(th)): niskie, umożliwiające sterowanie z poziomu logiki cyfrowej
- Obudowa: SOT-23 (SMD)
Ten zestaw parametrów, w tym niskie napięcie progowe, sprawia, że tranzystor 2N7002 jest idealny do łączenia obwodów cyfrowych o niskim poborze prądu z elementami o wyższym napięciu zasilania.
Typowe zastosowania tranzystora 2N7002
Dzięki swojej wysokiej prędkości przełączania i kompatybilności z napięciami logicznymi, ten MOSFET z kanałem N znajduje zastosowanie w:
- szybkim przełączaniu sygnałów cyfrowych
- sterowaniu diodami LED
- wzmacniaczach małej mocy i układach buforujących
- interfejsach logicznych i tłumaczach poziomów napięć
- układach sterowania przekaźnikami i małymi silnikami
Dzięki swojej sprawdzonej architekturze tranzystor ten jest chętnie wybierany do prototypowania oraz do produkcji seryjnej urządzeń elektronicznych.
Tranzystor 2N7002 w obudowie SOT-23, dostępny w ofercie Micros, to zweryfikowany komponent firmy NXP, zapewniający wysoką niezawodność i stabilność parametrów w kluczowych układach przełączających.