2N7002,215 NEXPERIA
Symbol Micros:
T2N7002 NXP
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
178 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3100 | 0,7220 | 0,5680 | 0,5260 | 0,5040 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5040 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |