2N7002,215
Symbol Micros:
T2N7002 NXP
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
Maksymalna tracona moc: | 830mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1850 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5500 | 0,2610 | 0,1470 | 0,1120 | 0,1000 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1000 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1000 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
1482000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
Maksymalna tracona moc: | 830mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |