2N7002DWH6327
Symbol Micros:
T2N7002dwh6327
Obudowa: SOT363
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002DWH6327XTSA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002DWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2129 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002DWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
393000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1414 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002DWH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
4308000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1357 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |