2N7002DWH6327

Symbol Micros: T2N7002dwh6327
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalna tracona moc: 500mW
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Obudowa: SOT363
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: 2N7002DWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3920 0,2200 0,1670 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalna tracona moc: 500mW
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Obudowa: SOT363
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD