2N7002K-7

Symbol Micros: T2N7002K
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 380mA
Maksymalna tracona moc: 370mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: 2N7002K-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1371000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0633
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: 2N7002K-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0539
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: 2N7002K-7 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
774000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0589
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 380mA
Maksymalna tracona moc: 370mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta