2N7002K SOT23 MDD

Symbol Micros: T2N7002k MDD
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: MDD
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: MOSFET
Producent: MDD(Microdiode Electronics) Symbol producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,2450 0,0913 0,0486 0,0361 0,0338
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Producent: MDD(Microdiode Electronics) Symbol producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,2450 0,0913 0,0486 0,0361 0,0338
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: MDD
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD