2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN

Symbol Micros: T2N7002KD FUX
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
N-Channel SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Odpowiednik: 2N7002DWH6327XTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SOT363
Producent: FUXIN
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: FUXINSEMI Symbol producenta: 2N7002KD RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5860 0,2690 0,1460 0,1090 0,0976
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 5,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SOT363
Producent: FUXIN
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD