2N7002KW

Symbol Micros: T2N7002kw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 310mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT323
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2N7002KW RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5810 0,3860 0,3220 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 310mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT323
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD