2N7002NXAKR
Symbol Micros:
T2N7002NXAKR
Obudowa: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
Maksymalna tracona moc: | 265mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002NXAKR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
162 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 838+ | 3352+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4390 | 0,1730 | 0,1010 | 0,0759 | 0,0675 |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002NXAKR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
318 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 838+ | 3352+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4390 | 0,1730 | 0,1010 | 0,0759 | 0,0675 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002NXAKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
594000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0675 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002NXAKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
8300 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0848 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002NXAKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
452897 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0675 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
Maksymalna tracona moc: | 265mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |