2N7002NXAKR

Symbol Micros: T2N7002NXAKR
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 190mA
Maksymalna tracona moc: 265mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Nexperia Symbol producenta: 2N7002NXAKR Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-06-19
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 190mA
Maksymalna tracona moc: 265mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD