2N7002NXBKR
Symbol Micros:
T2N7002NXBKR
Obudowa: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 270mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: 2N7002NXBKR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5090 | 0,1950 | 0,1100 | 0,0907 | 0,0849 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002NXBKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
31480 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0849 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: 2N7002NXBKR
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0849 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 270mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |