2N7002W-7-F

Symbol Micros: T2N7002w7f
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT323
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: 2N7002W-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8090 0,3840 0,2160 0,1640 0,1470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT323
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD