2SB1188

Symbol Micros: T2SB1188
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor PNP; 390; 500mW; 32V; 2A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 390
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ROHM
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 32V
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: 2SB1188T100Q RoHS Obudowa dokładna: SOT89 karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,3900 1,4500 1,1100 0,9880 0,9540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Moc strat: 500mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 390
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ROHM
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 32V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP