2SC1623 HXY MOSFET

Symbol Micros: T2SC1623 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 600; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1623-L7-TP; 2SC1623-L7-HF;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HXY MOSFET
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: 2SC1623 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,1950 0,0723 0,0382 0,0282 0,0269
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Moc strat: 200mW
Producent: HXY MOSFET
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN