2SC3356R

Symbol Micros: T2SC3356
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 7GHz
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Producent: HOTTECH Symbol producenta: 2SC3356R RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6110 0,2900 0,1630 0,1240 0,1110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 7GHz
Producent: HOTTECH
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN