2SC4213-B
Symbol Micros:
T2SC4213b
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 1200; 100mW; 20V; 300mA; 30MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SC4213BTE85LF;
Parametry
| Moc strat: | 100mW |
| Producent: | TOSHIBA |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1200 |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: 2SC4213-B RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1100 | 0,7110 | 0,4980 | 0,4330 | 0,4050 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: 2SC4213-B(TE85L,F)
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4050 |
| Moc strat: | 100mW |
| Producent: | TOSHIBA |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1200 |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Typ tranzystora: | NPN |