2SD2390 JSMICRO

Symbol Micros: T2SD2390 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Darlington NPN; 5000; 100W; 150V; 10A; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 100W
Producent: JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 5000
Obudowa: TO 3P
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: 2SD2390 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,6300 5,6600 4,8300 4,5500 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Moc strat: 100W
Producent: JSMICRO
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 5000
Obudowa: TO 3P
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: Darlington NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta