2SD882
Symbol Micros:
T2SD882
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K)
Parametry
| Moc strat: | 1W |
| Producent: | UTC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Obudowa: | TO126 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
Symbol producenta: 2SD882 RoHS
Obudowa dokładna: TO126
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2000 | 0,7690 | 0,5390 | 0,4680 | 0,4380 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-12-31
Ilość szt.: 500
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-01-30
Ilość szt.: 1000
| Moc strat: | 1W |
| Producent: | UTC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Częstotliwość graniczna: | 80MHz |
| Obudowa: | TO126 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
2SD882 JSMICRO
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882L-P-T60-K; 2SD882L-Q-T60-K;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
2SD882 RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
300 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,5990 | 0,4660 | 0,4220 | 0,4080 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)