2SD882

Symbol Micros: T2SD882
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K)
Parametry
Moc strat: 1W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Producent: UTC
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol producenta: 2SD882 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
374 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,2200 0,8770 0,7670 0,7190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200/1000
Moc strat: 1W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Producent: UTC
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN