2SD965

Symbol Micros: T2SD965 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: FOSHAN
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: Foshan Blue Arrow Electronics Symbol producenta: 2SD965T-R RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8730 0,4370 0,2610 0,2160 0,1940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 500mW
Producent: FOSHAN
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta