2SJ162

Symbol Micros: T2SJ162
Obudowa: TO 3P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 160V; 15V; 7A; 100W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 160V
Producent: Renesas
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 15V
Producent: RENESAS Symbol producenta: 2SJ162 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
3 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 36,1500 29,0100 27,3300 25,6300 24,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 160V
Producent: Renesas
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT