2SK170

Symbol Micros: T2SK170
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 20mA; 400mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F);
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 20mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: TO92
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-10
Ilość szt.: 200
Maksymalny prąd drenu: 20mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: TO92
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: THT