2SK209-GR

Symbol Micros: T2SK209
Obudowa: SC-59
Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 14mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SC-59
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SK209-GR(TE85L,F) RoHS Obudowa dokładna: SC-59 karta katalogowa
Stan magazynowy:
145 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5000 0,9830 0,7040 0,6160 0,5770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Maksymalny prąd drenu: 14mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SC-59
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD