2SK209-GR

Symbol Micros: T2SK209
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-59
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 14mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SC-59
Producent: TOSHIBA
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SK209-GR(TE85L,F) RoHS Obudowa dokładna: SC-59 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
450 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7340 0,5790 0,5260 0,5090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Maksymalny prąd drenu: 14mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SC-59
Producent: TOSHIBA
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta