2SK3018-TP
Symbol Micros:
T2SK3018-TP
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 13Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | Micro Comercial Components Corp. |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: 2SK3018-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6050 | 0,2870 | 0,1620 | 0,1230 | 0,1100 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: 2SK3018-TP
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
ilość szt. | 2203+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2227 |
Rezystancja otwartego kanału: | 13Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 100mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | Micro Comercial Components Corp. |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |