2SK3018-TP

Symbol Micros: T2SK3018-TP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT323
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: 2SK3018-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalny prąd drenu: 100mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT323
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta