2SK3666-3-TB-E SOT23-3
Symbol Micros:
T2SK3666-3-tb-e
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |