2SK3878 JSMICRO

Symbol Micros: T2SK3878 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO 3P
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
2 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,6100 6,0400 5,4600 5,1600 5,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,6100 6,0400 5,3600 5,1200 5,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO 3P
Producent: JSMICRO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta