2SK4013

Symbol Micros: T2SK4013
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK4013(STA4,Q,M);
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 800V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-10-30
Ilość szt.: 100
Rezystancja otwartego kanału: 1,7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 800V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT