2V7002LT1G

Symbol Micros: T2V7002
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23-5
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: 2V7002LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-5/t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5300 1,2100 1,1000 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23-5
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD