2V7002LT1G
Symbol Micros:
T2V7002
Obudowa: SOT23-5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23-5 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2V7002LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-5/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9320 | 0,4730 | 0,2860 | 0,2270 | 0,2070 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2V7002LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-5
Magazyn zewnetrzny:
906000 szt.
| ilość szt. | 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2070 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2V7002LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-5
Magazyn zewnetrzny:
4278000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2070 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 2V7002LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-5
Magazyn zewnetrzny:
288000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2070 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23-5 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |