MOT65R099F TO-220F
Symbol Micros:
T65R099F MOT
Obudowa: TO220iso
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 99mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 39W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | MOT |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: MOT
Symbol producenta: MOT65R099HF RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,5400 | 6,7800 | 5,9000 | 5,7900 | 5,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 99mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 39W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | MOT |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |