AO3400A JGSEMI
Symbol Micros:
TAO3400a JGS
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,56W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-04-30
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,56W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO3400A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol producenta:
AO3400A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5980 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8730 | 0,4430 | 0,2680 | 0,2130 | 0,1940 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
AO3400A UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
AO3400A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2090 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5340 | 0,2450 | 0,1330 | 0,0997 | 0,0890 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
AO3400A JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
JSMSEMI
Symbol producenta:
AO3400A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5340 | 0,2450 | 0,1330 | 0,0997 | 0,0890 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)