LGE3401 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TAO3401 LGE
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KO3401; AO3401; MOT3401AA3; LGE3401; C-CDM3401;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: LGE
Symbol producenta: LGE3401 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4830 | 0,2220 | 0,1210 | 0,0902 | 0,0805 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |