RC3407 SOT23-3 REALCHIP

Symbol Micros: TAO3407 REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3407A;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 87mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Obudowa: SOT23-3
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: REALCHIP Symbol producenta: RC3407 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4490 0,1770 0,1030 0,0755 0,0690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 87mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Obudowa: SOT23-3
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD