AO3421E

Symbol Micros: TAO3421e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AO3421E RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
225 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2200 0,6740 0,4460 0,3710 0,3490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD