AO4447A
Symbol Micros:
TAO4447a
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AO4447A RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9700 | 1,5500 | 1,4100 | 1,3500 |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AO4447A RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9500 | 1,6200 | 1,4400 | 1,3500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO4447A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
AO4447A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 | 1,4400 | 1,1100 | 0,9980 | 0,9500 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)