AOD3N50
Symbol Micros:
TAOD3n50
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOD3N50 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4000 | 0,7730 | 0,6080 | 0,5630 | 0,5400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |