TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC
Symbol Micros:
TAOD417 TWG
Obudowa: TO252
30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 4W |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | TWGMC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: TWGMC
Symbol producenta: TW40P03D RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 150+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,8610 | 0,6340 | 0,5460 | 0,5080 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 4W |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | TWGMC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |