AOSD21307 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Symbol Micros:
TAOSD21307
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 28mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |