AOT10B60D

Symbol Micros: TAOT10b60d
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: 17,4nC
Maksymalna moc rozpraszana: 163W
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 40A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,6V
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOT10B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
13 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2600 4,0200 3,3200 2,9100 2,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ładunek bramki: 17,4nC
Maksymalna moc rozpraszana: 163W
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 40A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,6V
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT