AOT12N50

Symbol Micros: TAOT12n50
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 520mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOT12N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8200 5,2100 4,3100 3,7800 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 520mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT