AOT410L

Symbol Micros: TAOT410l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 150A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOT410L RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,1400 5,3000 4,6300 4,3000 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 150A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT