AOTF11N70

Symbol Micros: TAOTF11n70
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 870mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 700V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF11N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8200 5,2100 4,3100 3,7800 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 870mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 700V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT