AOTF4N60
Symbol Micros:
TAOTF4n60
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOTF4N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6800 | 2,7000 | 2,1600 | 1,8600 | 1,7500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |