AOTF7T60P

Symbol Micros: TAOTF7t60p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,1Ohm; 7A; 38W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,1Ohm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF7T60P RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1200 3,0200 2,4200 2,0800 1,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 1,1Ohm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT