AOTS21313C

Symbol Micros: TAOTS21313C
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 32mOhm; 7,3A; 2,7W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 2,7W
Obudowa: SOT-457
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 2,7W
Obudowa: SOT-457
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD