AP2003 SOT23-6L ALLPOWER

Symbol Micros: TAP2003 AP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-6L
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm/100mOhm; 3A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 800mW
Obudowa: SOT23-6L
Producent: ALLPOWER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Producent: All POWER Symbol producenta: AP2003 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-6L karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7040 0,3340 0,1880 0,1430 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 800mW
Obudowa: SOT23-6L
Producent: ALLPOWER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD